GaP
Ang Gallium phosphide (GaP) nga kristal usa ka infrared optical nga materyal nga adunay maayo nga katig-a sa nawong, taas nga thermal conductivity ug lapad nga band transmission.Tungod sa maayo kaayo nga komprehensibo nga optical, mekanikal ug thermal nga mga kabtangan, ang mga kristal sa GaP mahimong magamit sa militar ug uban pang komersyal nga high-tech nga natad.
| Panguna nga mga Kinaiya | |
| Kristal nga istruktura | Zinc Blende |
| Grupo sa simetriya | Td2-F43m |
| Gidaghanon sa mga atomo sa 1 cm3 | 4.94·1022 |
| Auger recombination coefficient | 10-30cm6/s |
| Debye nga temperatura | 445 K |
| Densidad | 4.14 g cm-3 |
| Dielectric nga makanunayon (static) | 11.1 |
| Dielectric kanunay (taas nga frequency) | 9.11 |
| Epektibo nga electron massml | 1.12mo |
| Epektibo nga electron massmt | 0.22mo |
| Epektibo nga mga buho nga masamh | 0.79mo |
| Epektibo nga mga buho nga masamlp | 0.14mo |
| Affinity sa elektron | 3.8 eV |
| Lattice kanunay | 5.4505 A |
| Optical phonon enerhiya | 0.051 |
| Teknikal nga mga parametro | |
| Gibag-on sa matag sangkap | 0.002 ug 3 +/-10%mm |
| orientasyon | 110 — 110 |
| kalidad sa nawong | scr-dig 40-20 — 40-20 |
| Pagkapatas | mga balud sa 633 nm - 1 |
| Paralelismo | arko min <3 |
